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美光揭晓DDR5革新MRDIMM内存:单条容量跃升至256GB,带宽提升39%

发布时间:2024-08-15 14:02:51 作者:001资源网 阅读:0次

近日消息,美光科技新推DDR5 MRDIMM内存解决方案,专为人工智能(AI)及高性能计算(HPC)应用场景优化设计,目前该系列内存产品专属适配英特尔最新第六代至强(Xeon)处理器平台,展现出在尖端数据处理领域中的强大协同潜力。

美光揭晓DDR5革新MRDIMM内存:单条容量跃升至256GB,带宽提升39%

镁光本次推出 32GB、64GB、96GB、128GB、256GB 五种容量、8800MT/s 速率的 DDR5 MRDIMM 内存,提供标准高度与 TFF 两种物理形态。

据介绍,与传统 RDIMM 内存相比,MRDIMM 内存可实现:

内存带宽最高提升 39%

总线效率提升高于 15%

延迟改善最高 40%

注:JEDEC 暂未正式发布 MRDIMM 内存标准,上述产品目前仅支持英特尔至强 6 处理器。除美光外,三星也正在开发 8800MT/s 的 MRDIMM 内存,目前已进入出样阶段。

美光揭晓2650固态硬盘:集第九代3D TLC NAND闪存之大成,速度飞跃至7/6GB/s顺序读写

7月31日消息,美光科技最新动态,伴随其第九代276层3D TLC NAND闪存的问世,一同推出了2650系列固态硬盘,专为日常PC及笔记本电脑设计,标记着消费级OEM市场的新选择。

美光揭晓2650固态硬盘:集第九代3D TLC NAND闪存之大成,速度飞跃至7/6GB/s顺序读写

美光 2650 采用 PCIe 4.0×4 接口,外形可选 M.2 2230 / 2242 / 2280 三种尺寸,容量覆盖 256GB、512GB 和 1TB,均为单面设计。

得益于其配备的 276 层 3600MT/s 六平面 TLC NAND 闪存 B68S,美光 2650 在 PCMark 10 基准测试中展现了优秀的成绩:

其较同样基于 TLC 闪存的几大原厂竞品,平均跑分高出至多 38%,平均带宽高出至多 36%,平均响应时间成绩也提高了至多 46%。

美光副总裁兼客户端存储部总经理 Prasad Alluri 表示:

美光 2650 SSD 已接近 PCIe Gen4 的理论饱和水平,它采用了我们的全新 G9 NAND,突破了 TLC 客户端 SSD 所能达到的价值极限。

与同类解决方案相比,这款硬盘的 PCMark 10 基准分数最高可提高 38%,将重新定义此类固态硬盘的用户体验。

长江存储在美国强力反击,指控美光侵犯11项核心专利技术

7月22日消息,中国3D NAND闪存生产商长江存储再次对美光提起诉讼,地点在美国加州北区法庭,指控美光侵犯其11项专利技术,这些专利广泛应用于3D NAND Flash与DRAM产品线,此案突显出存储领域内激烈的知识产权竞争。

长江存储在美国强力反击,指控美光侵犯11项核心专利技术

长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品,并支付专利使用费。

长江存储指控称,美光的 96 层(B27A)、128 层(B37R)、176 层(B47R)和 232 层(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品(Y2BM 系列),侵犯了长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请。

2023 年 11 月,长江存储就曾在美起诉美光专利侵权,涉 8 项专利;2024 年 6 月,长江存储在美起诉美光资助的咨询公司,指控其散布虚假信息,如今长江存储再度“亮剑”。

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