SK海力士年内推进HBM4内存流片：携手英伟达、AMD，沿用1b nm DRAM技术

近日消息，SK海力士宣布了一项重要进展，计划于2024年内为图形处理巨头英伟达和AMD分别推出为其定制的HBM4内存芯片，这标志着高性能显存技术的再次飞跃，将为双方的高端显卡产品带来显著的性能提升，进一步推动人工智能与高性能计算领域的发展。

消息人士向韩媒表示，SK 海力士已为这两家主要 HBM 内存客户组建了 HBM4 内存开发团队。英伟达用 HBM4 将率先于今年 10 月进行流片，而向 AMD 供应的 HBM4 也将在今年底流片。

报道还表示，虽然三星电子计划在 HBM4 内存上直接应用 1c nm DRAM 以提升能效竞争力，但 SK 海力士为稳定起见将在 HBM4 沿用已在 HBM3E 中得到检验的 1b nm DRAM 裸片。

而在 HBM4 的基础裸片（Base Die，也称逻辑芯片、接口芯片）部分，SK 海力士将采用台积电提供的 N12FFC+ 平价产品和 N5 高性能产品。

此外韩媒提到，英伟达预计于 2026 年发布的后 Blackwell 世代高性能 AI GPU“Rubin”将使用 12 层堆叠的 HBM4 内存。SK 海力士在 HBM 领域的主要竞争者三星电子也将在 2024 年内启动 HBM4 内存的流片。

SK海力士加快NAND技术突破：400余层闪存预计年末实现量产，存储新纪元即将到来

8月1日消息，SK海力士宣布加快下一代NAND闪存技术的研发步伐，目标于2025年底完成超过400层堆叠的NAND闪存量产筹备工作，并预计在2026年第二季度正式投入大规模制造，此举措预示着存储领域将迎来更高容量与效率的革新。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。

按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。

注：从代际发布间隔来看，美光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。

韩媒在报道中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D NAND”的整体结构：

SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，单元下外围）技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。

而 SK 海力士未来的 NAND 将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，此后采用 W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技术，将这两部分整合为完整的闪存。

换句话说，SK 海力士也将采用类似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构设计。

报道指出，SK 海力士已在着手构建 NAND 混合键合所需的原材料与设备供应链，正对混合键合技术与材料进行新的审查；此外三星电子也考虑在下一代 NAND 生产中应用混合键合。