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重磅！首次揭晓！查尔斯·西让你瞬间追溯到划时代突破的相变存储器(PRAM)发布

发布时间：2024-09-15 08:03:51 作者：001资源网 阅读：0次

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

1969年，查尔斯·西(Charles Sie)发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

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相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态（低阻态）和非晶态 （高阻态）之间发生可逆相变互相转换，从而实现信息的写入 （“１”）和擦除（“０”）操作。

相互转换过程包含了晶态到非晶态的非晶化转变以及非晶态到晶态的晶化转变两个过程，其中前者被称为非晶化过程，后者被称为晶化过程。然后依靠测量对比两个物理相态间的电阻差异来实现信息的读出，这种非破坏性的读取过程，能够确保准确地读出器件单元中已存储的信息。

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

1969年，查尔斯·西(Charles Sie)发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

历史上的重大创举：道夫·弗罗曼的专利实现了EPROM革命！

道夫·弗罗曼于1971年发明了EPROM并申请了专利。

1971年，道夫·弗罗曼发明了EPROM并申请了专利

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EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。

通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。

1971年，道夫·弗罗曼发明了EPROM并申请了专利

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