三星启动赠礼计划：巴黎奥运会健儿将获赠Galaxy Z Flip6奥运限定版

近日消息，三星宣布已启动向2024年巴黎奥运会及残奥会的约17,000名参赛运动员赠送定制版Galaxy Z Flip6奥运特别款手机的流程。这款特别版设备早前已在三星Unpacked发布会上公开露面，成为了科技与体育盛事合作的又一亮点。

自 1998 年长野奥运会以来，三星一直是国际奥委会 (IOC) 的主要合作伙伴，并从 2014 年索契冬奥会开始推出定制版 Galaxy 手机。此次推出的 Galaxy Z Flip6 奥运版采用了定制黄色外观，背面印有巴黎 2024 奥运会和残奥会标志。此外，每台手机均预装了 eSIM，提供 100 GB 5G 数据流量，并内置了三星钱包和多款奥运会应用程序，旨在为运动员提供便利和丰富多彩的奥运体验。

值得一提的是，这已经是三星第二次为奥运会推出定制版折叠屏手机。此前，三星曾为北京 2022 年冬奥会推出过 Galaxy Z Flip3 5G 冬梦白特别版。

三星电子瞄准2025至2026年，革新移动内存领域：LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

7月17日消息，三星电子公布了其在移动内存技术上的最新突破——LP Wide I/O（简称LPWIO）内存的研发进展，这是根据该公司最新的2024年异构集成路线图所透露的信息。

值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不能确认两者关系。

LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪，2025 下半年至 2026 年中实现量产就绪。

路线图显示，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。

作为对比，目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit，未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现有移动内存产品的内存带宽，满足设备端 AI 应用等场景的需求。

在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽，势必需要堆叠 DRAM 芯片，但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联技术。

同 SK 海力士的 VFO 技术类似，三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子表示，VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；

相较 VWB 垂直引线键合 全称 Vertical Wire Bonding，疑似指代 SK 海力士的 VFO 技术) ，三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

三星电子在图片中还提到，其 LPDDR6 内存也预计于 2025~2026 年量产就绪。