内部动荡引关注：三星电子员工传出跳槽SK海力士传闻

7月15日消息，据最新消息，三星集团正陷入一系列复杂的内部挑战中。除了近期韩国全国三星电子工会发起的大规模罢工行动，加剧了公司的劳资矛盾，内部情报还显示，部分三星电子的员工正认真考虑另谋出路，转向其竞争对手SK海力士。

一位匿名的三星电子芯片工程师向英媒表示，即使三星电子更换了 DS（设备解决方案）部负责人，他也未能在企业中看到太多变化。

他说：

（三星电子）内部气氛很悲观，因为我们既在 HBM 方面落后于 SK 海力士，又未能缩小同台积电在晶圆代工上的差距。同事普遍对自身薪酬感到不满意，因为他们认为自己的待遇比在 SK 海力士工作的同行差。很多人都在考虑离开公司，加入竞争对手。

三星电子的 HBM3E 产品迟迟未能通过 HBM 领域最大买方英伟达的认证；而在以 3nm GAA 工艺为代表的先进制程上，三星电子仍持续面临良率低下和高频能耗不佳的问题。

业绩不振也可从资本市场对三星电子的态度反映出来：今年以来，三星电子的股价仅上涨了 10%（均以当地货币计），SK 海力士股价上涨了 61.84%，而台积电股价涨幅更是达到了 75% 以上。

实际上，三星电子员工的罢工运动和离职打算有着共同的背景原因：三星电子 DS 部门的存储和代工两大业务均遭遇挫折，致使普通员工薪酬低于预期。

韩国全国三星电子工会的成员有相当数量来自 DS 部门，而三星电子 DS 部门在去年出现亏损，这意味着在员工实际收入中占据重要地位的绩效奖金归零。

三星震撼发布：BM1743固态硬盘，61.44TB超大容量，革新数据存储新纪元

近日消息，全球领先的内存和存储芯片制造商三星宣布，其首款面向企业用户的60TB固态硬盘正式发布，标志着固态存储技术迈入了一个崭新的阶段。

这款超大容量SSD专为数据中心、云服务提供商以及高性能计算领域设计，凭借其前所未有的存储空间，将为企业级市场带来革命性的变化。

三星以往的固态硬盘容量上限为 32TB，此次推出的 BM1743 固态硬盘则将容量提升至了惊人的 61.44TB，这款 60TB 级的固态硬盘将与 Solidigm 的 D5-P5336 和西部数据的 60TB 级企业级固态硬盘展开竞争。

BM1743 采用了三星自主研发的第七代 176 层 V-NAND (3D NAND) QLC 存储单元以及专属的主控，其顺序读取速度可达 7.2GB/s，顺序写入速度为 2.0GB/s。随机读写性能方面，BM1743 拥有 160 万次随机读取 IOPS 和 11 万次随机写入 IOPS。该款固态硬盘的耐久性为每天 0.26 次写入 (DWPD)，能够持续五年。

根据三星官方消息，这款新型固态硬盘将提供两种接口规格，分别为适用于服务器的 U.2 和 PCIe 4.0 x4 接口。此外，针对需要更高存储密度的设备，三星还将提供支持 PCIe 5.0 x4 接口的 E3.S 版本。目前官方尚未公布售价和功耗等信息，不过类似规格的固态硬盘售价约为 7000 美元（当前约 50973 元人民币）。

目前三星在该细分市场将面临的竞争相对较少，因为其主要竞争对手铠侠、美光和 SK 海力士目前尚未推出 60TB 级的固态硬盘产品。

三星电子2nm工艺EUV技术突破，曝光层数激增超30%，SF1.4节点预期超越30层里程碑

近日消息，三星电子在半导体制造工艺上持续突破，计划于明年发布的2nm先进制程技术，相较于当前的3nm工艺，EUV曝光层数显著提升30%以上，预计将达到“20至30层”的较高区间，这一革新预示着芯片性能与能效的新飞跃。

韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子 3nm 工艺的平均 EUV 曝光层数量仅为 20 层；

而在预计于 2027 年量产的 SF1.4 制程中，EUV 曝光层的数量有望超越 30 层。

随着先进制程的演进，对晶体管尺寸的要求逐渐严苛。而在曝光层中用 EUV 光刻取代传统 DUV，可实现更高光刻精度，进一步提升晶体管密度，在单位面积中容纳更多的集成电路。

在此背景下，先进逻辑代工企业积极购进 ASML 的 EUV 机台。

以台积电为例，其今明两年将总共接收超 60 台 EUV 光刻机。韩媒预估台积电到 2025 年底将拥有超 160 台 EUV 光刻机。

此外 DRAM 内存行业的 EUV 光刻用量也在提升：

在第六代 20~10nm 级工艺（即 1c nm、1γ nm）上，三星电子使用了 6~7 个 EUV 层，SK 海力士使用了 5 个 EUV 层，美光也在此节点首次导入了 EUV 光刻。