三星Galaxy S25系列国行发布会定于2月11日，Ultra机皇售价逼平iPhone 16 Pro Max

1月23日消息，三星Galaxy S25系列在全球范围内盛大发布，这一备受期待的智能手机系列终于揭开了神秘的面纱。该系列承载着众多消费者对高端智能手机的期望，无论是外观设计、性能表现还是拍照功能等方面，都成为了大家热议的话题。

据了解，三星Galaxy S25系列共有S25、S25+、S25 Ultra三款机型，尝鲜价如下：

Galaxy S25

12GB+256GB尝鲜价6499元

12GB+512GB尝鲜价7499元

Galaxy S25+

12GB+256GB尝鲜价7499元

12GB+512GB尝鲜价8499元

Galaxy S25 Ultra

12GB+256GB尝鲜价10199元

12GB+512GB尝鲜价11199元

16GB+1TB尝鲜价13699元

需要注意的是，尝鲜价非最终定价，最终定价会在2月11日国行发布会上正式揭晓，多退少不补。

参考以往机型，三星Galaxy S25系列售价将与iPhone 16系列平起平坐，尤其是Galaxy S25 Ultra，顶配版售价预计接近iPhone 16 Pro Max顶配版，后者目前在苹果官网卖13999元。

据了解，三星Galaxy S25系列搭载基于3nm工艺定制的高通骁龙8至尊版芯片，与上一代S24系列相比，CPU性能提升37%，GPU性能提升30%。

作为机皇，三星S25 Ultra新增5000万像素超广角镜头，同时配备2亿像素广角镜头、5000万像素5倍长焦镜头（支持100倍空间变焦和10 倍光学变焦）、1000万像素长焦镜头（支持3倍光学变焦）。

三星电子精进存储技术：4nm工艺赋能HBM4内存，引领行业创新风潮

7月16日消息，三星电子再次领跑行业，宣布将在下一代高带宽内存（HBM4）中采用自家4nm先进制程技术制造逻辑芯片。此举标志着三星在存储解决方案上的又一次重大突破，旨在通过提升内存综合能效和产品竞争力，引领存储行业迈向更高维度。

注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。

层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量；而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元，还负责通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的重要组成部分。

传统上，存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。但来到 HBM4 世代后，Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽，甚至还要承载部分客户定制功能。

因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。

此前就有消息传出，台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。

对于三星电子存储部门来说，在产品中导入 LSI 部门的先进工艺并非没有先例：其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。