价格成谜！三星Galaxy Z Fold6/Flip6完整规格及宣传物料全披露

7月4日消息，知名爆料达人埃文·布拉斯（Evan Blass）在其个人博客上发布了一篇深度文章，详尽披露了三星即将推出的Galaxy Z Fold6与Galaxy Z Flip6折叠屏手机的全面规格参数，以及一系列精心准备的官方宣传资料。

附上三星 Galaxy Z Fold 6 手机亮点如下：

屏幕最高亮度从 1750 尼特提升至 2600 尼特

配备全新的高通骁龙 8 Gen 3 处理器

LTE 蜂窝网络连接下网页测试续航比前代增加 1 小时，视频播放比前代延长 2 小时

比前代轻 14 克

折叠状态下短 1.4 毫米、宽 1 毫米、薄 1.3 毫米

展开状态下短 1.4 毫米、宽 2.7 毫米、薄 0.5 毫米

配备改进后的 Armor Aluminum 框架

外屏增加了 0.1 英寸

主屏幕分辨率调整为 2160x1856，此前为 2176x1812。

摄像头、电池容量（4400mAh）或盖板玻璃（大猩猩玻璃 Victus 2）均无变化

三星 Galaxy Z Flip6 手机主要亮点如下

主摄像头从 1200 万像素提升至 5000 万像素，光圈值同为 f / 1.8

全新 Snapdragon 8 Gen 3 处理器和 12GB 内存（高于 8GB）

外屏为 IPS，而非 OLED

折叠后厚度减少 0.2 毫米，其他尺寸和重量不变

配备更大容量的电池，现在为 4000mAh，此前为 3700mAh

LTE 蜂窝网络连接下网页测试续航比前代增加 1 小时，视频播放比前代延长 2 小时

盖板玻璃无变化（大猩猩玻璃 Victus 2）

三星战略调整：AI芯片成新焦点，汽车半导体项目步伐放缓

7月4日消息，全球科技巨头三星电子正在对其芯片设计部门进行重大战略调整，将重心转向人工智能（AI）芯片的研发。据业内知情人士透露，三星系统LSI部门正在进行业务和组织重组，旨在强化其在AI芯片市场的竞争力。

作为战略调整的一部分，三星电子已经将其汽车处理器“Exynos Auto”（代号 KITT3）项目的人员重新分配到 AI 芯片团队，因为该团队现在是三星设计工作的重点。据介绍，三星目前已经集中了 100-150 名设计人员，专门致力于 AI 芯片的开发。

对此，三星电子一位高管表示，“公司组织架构调整的细节尚未最终确定”。这表明三星虽然决定将重心放在 AI 芯片的开发上，但具体重组计划仍在制定中。

查询发现，三星电子于 2018 年进军高性能汽车半导体市场，当时推出了 Exynos Auto 品牌，去年发布了基于 5nm 工艺的 Exynos Auto V920，并宣布与现代汽车公司合作开发半导体。

不过，随着 AI 的兴起和类似 ChatGPT 等产品的快速发展，三星已经将其芯片设计工作重心调整到了这一领域。

Businesskorea 还指出，近期出现的“电动汽车鸿沟”现象（即大规模普及之前需求暂时放缓）以及全球汽车制造商（例如现代汽车和特斯拉）正在研发自己的芯片等因素也推动了这一战略的转变。

三星HBM内存芯片赢得英伟达青睐，大规模量产在即，共绘高性能计算新蓝图

7月4日消息，三星电子在HBM技术领域取得重大突破，其HBM3e高带宽内存在经历一系列严谨评估后，正式获得英伟达的质量认可。这一里程碑式的成就，为三星打开了大规模制造HBM内存芯片的大门，也为与英伟达的深度合作奠定了坚实基础。

三星电子最近收到了来自英伟达的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责 HBM 内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。

据此前报道，今年 3 月，英伟达 CEO 黄仁勋表示已经开始验证三星的 HBM 内存芯片。5 月有消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试。黄仁勋在 2024 台北国际电脑展上，表示仍在认证三星公司的 HBM 内存，否认三星 HBM 未通过任何英伟达测试。

外媒称，三星迫切需要向英伟达供应 HBM，通过英伟达测试意味着从下半年开始，HBM 的业绩可能实现“飞跃”。受此消息影响，三星电子股价 7 月 4 日上涨 3.6%，达到 4 月 12 日以来的最高点；SK 海力士（英伟达 HBM 内存的主要供应商之一）股价下跌 4.7%，创 6 月 24 日以来最大跌幅。

三星电子发力未来XR内存技术，积极研发LLW DRAM，剑指苹果新一代设备订单

7月18日消息，三星电子目前正致力于LLW DRAM内存技术的研发，此举是为了抢滩未来苹果Vision Pro后续型号或其他新型头显设备的内存供应合同，凸显其在高端存储解决方案领域的前瞻性布局。

LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能特殊内存，拥有数量众多的 I/O 引脚，具备高带宽低延迟低功耗的优势。

三星电子宣称，其 LLW DRAM 内存产品可实现 128GB/s 的带宽，同时能耗仅有 1.2pJ/bit。

据此前报道，与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应，可提供 256GB/s 带宽。

该内存单颗容量为 1GB，I/O 引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前 LPDDR5 内存的 64bit 作为基础，那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。

韩媒报道提到，苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈，但最终 SK 海力士得到了这份订单。

三星电子正积极开发 LLW DRAM内存技术，目前正处于小规模生产阶段，目标未来从 SK 海力士的手中夺取这一细分领域的市场份额。