SK海力士NAND业务分支Solidigm据传筹备美国IPO，上市计划浮出水面

7月29日消息，SK海力士透露，其正在探讨将其NAND闪存及固态硬盘的子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）的可能性，此举或将增强Solidigm在全球存储市场的竞争力和独立发展能力。

SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。

由于内外部因素的共同影响，Solidigm 成立后不久就陷入了连年亏损，从 2021 年二季度开始 12 个季度净利润为负值。

不过近来由于 AI 推理等服务器需求的迅速增长，在企业级固态硬盘上具有领先地位的 Solidigm 业绩也逐渐转好，继在今年一季度实现正营业利润后，今年二季度净利润也回归正数。

韩媒表示，Solidigm 是屈指可数的几家能提供超大容量（64TB 级）QLC 企业级固态硬盘的企业之一。亚马逊、谷歌、戴尔等巨头争相向 Solidigm 下达订单，以期在竞争对手之前获得硬盘供应。

此外 SK 海力士与 Solidigm 还计划在明年初推出 128TB 原始容量的企业级固态硬盘，256TB 的产品也在准备中。

为了应对持续增加的企业级需求，Solidigm 迫切需要获得扩张业务的资金；另一方面，SK 海力士即将在 2025 年 3 月向英特尔支付收购案第二阶段的 20 亿美元（当前约 145.36 亿元人民币）价款，也需要回笼部分资金。

在此背景下，SK 集团内部高管提出了推动 Solidigm 在美国上市的计划。韩媒估计，Solidigm 的市值有望达到 20 万亿~30 万亿韩元（当前约 1048.6 亿~1572.9 亿元人民币）。

Wedbush 分析师马特·布赖森 (Matt Bryson) 表示：

我们认为这一消息是可信的，因为 SK 海力士以前就有将 Solidigm 分离出去的计划，该公司最近的复苏使这一选择变得更加可行。

我们认为，SK 海力士的这一努力能否取得成功，将取决于新组织的分拆方式（例如，Solidigm 内部包括哪些资产，SK 海力士保留哪些资产），以及海力士 / Solidigm 如何讨论未来的技术计划。

特别是考虑到大连 NAND 的现有路线图 —— 包括 QLC 部件，这些部件使 Solidigm 最近在大容量企业级固态硬盘方面取得了成功 —— 似乎在 196 层就结束了。

SK海力士强化环保举措，采用氟气替换三氟化氮于芯片生产，引领绿色制造潮流

近日消息，SK海力士宣布了一项环保举措，即将在芯片制造的清洗流程中采用氟气（F2），此举旨在减少生产过程中的环境影响，推进半导体产业的绿色化进程。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3 的 GWP 为 17200，而 F2 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。

SK海力士携手台积电，N5版基础裸片助力HBM4内存效能飞跃

7月17日消息，全球领先的半导体制造商SK海力士宣布了一项重要的技术决策，将采用台积电（TSMC）的N5（5纳米）工艺技术来生产下一代高带宽内存（High Bandwidth Memory，简称HBM4）的基础裸片（Base Die）。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。

SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。

而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。

其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。

N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。

SK海力士豪掷9.4万亿韩元，龙仁半导体集群首厂破土在即，蓄势待发

7月26日消息，SK海力士于今日宣布，其董事会已决议通过一项重大投资计划，拟投入约9.4万亿韩元（折合人民币约为491.62亿元），用以兴建位于韩国龙仁的半导体产业集群中的首个制造工厂（Fab）及配套业务设施。此举彰显了SK海力士对扩大先进半导体产能的坚定承诺。

SK 海力士表示：“公司将按照原定日程，将于明年 3 月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于 2027 年 5 月竣工。”

龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市远三面，其占地面积达 415 万平方米，公司正在进行用地工程和基础设施构建工程。SK 海力士将在此建造生产新一代半导体产品的四座先进厂房，携手全球 50 多家材料、零部件和设备企业构建半导体合作园区。

SK 海力士表示，公司在首座厂房的建设完成后，也将依次推进剩余的三座厂房建设，将龙仁集群发展成为“全球人工智能半导体生产据点”。

此次决议的投资额包含了集群运营初期所需的各种建设费用，分别为首座厂房、配套设施、办公楼、服务设施等。考虑到为准备厂房建设的设计所需时间和计划在 2028 年下半年竣工的办公楼等因素，公司将投资期间核定为 2024 年 8 月至 2028 年年末。

公司计划在龙仁首座工厂生产以 HBM 为代表的面向 AI 的存储器和新一代 DRAM 产品，也将根据竣工时的市场需求，做好生产另外产品的准备。

与此同时，SK 海力士计划在首座厂房内建造“迷你工厂”（具备 300 毫米晶圆工艺设备，可以验证半导体材料、零部件、设备等的研究设施），以支援韩国国内的材料、零部件和设备公司在其进行技术研发、验证和评估。公司将在迷你工厂提供与实际生产现场相似的环境，以此有力支持合作伙伴提升自研技术的完成度。