台积电CEO魏哲家坦言CoWoS封装挑战，预估2025年有望舒缓AI高端芯片供需紧绷状况

7月19日消息，在最近的2024第二季度财报电话会议中，台积电CEO魏哲家指出，直至2025年至2026年期间，公司预期其先进的芯片供应链紧张状况将逐步得到缓和，最终实现供需状况的稳定与平衡。

台积电前董事长刘德音曾在 2023 年 9 月预测，公司 AI 芯片短缺问题将会在 2024 年结束，并表示导致供应紧张的主要问题并非芯片本身，而是封装。

魏哲家强调 CoWoS 封装依然限制芯片供应的最大瓶颈，他表示：“从去年到今年，我们已经将 CoWoS 的产能提高了一倍多，明年公司的产能可能会再提高一倍”。

魏哲家表示为了缓解先进芯片供应紧张问题，台积电正在与海外合作伙伴合作，以增加供应。注：台积电正在美国亚利桑那州和日本熊本县建厂，资金来自合作伙伴投资者或政府补贴。

台积电2024下半年3nm制程月产冲刺12.5万片，2nm工艺预计2025年末迈入量产阶段

7月18日消息，全球领先的晶圆代工巨头台积电，在2024年上半年展现出了超预期的业绩表现，不仅成功超越了既定目标，而且展现了强劲的增长势头。

半导体设备供应链表示：正如魏哲家所言“所有的 AI 芯片大厂中只有一家没下单”，台积电目前 5/3 纳米制程家族产能利用率已达 100%。

供应链透露，台积电 12 英寸晶圆产线利用率近 8 成，5/3nm 制程维持满载，其中代工价 2 万美元左右的 3nm 订单根本接不完，包括苹果、高通、联发科，以及新增的英特尔等多家大客户都在抢产能，也迫使台积电不断加速扩产，原本 2024 年月产能目标已经从 10 万片逐步拉升至约 12.5 万片。

台积电此前表示，几乎所有的 AI 企业都与台积电合作，2nm 将采用 GAA 纳米片晶体管结构，目前制程技术研发进展顺利，其量产曲线与 N3 相似。

同时，与 2nm 一同发展的背面供电设计也将适用于 HPC 等相关应用，预计将在 2025 年下半推出供客户采用，并于 2026 年实现量产。

据供应链透露，2nm 宝山 P1 厂将于 2024 年第 4 季开始进入工程线验证，月产能约 3000 片，预计 2025 年第 4 季度进入量产，月产能约 3 万片。

随着后续 P2 厂加入 2nm 量产行列，如果再算上 2026 年放量的高雄厂，预计两大厂区合计月产能将达 12 万~13 万片，代工价格也由 3nm 家族 1.9~2.1 万美元进一步涨至 2.5~2.6 万美元（当前约 18.2 ~ 18.9 万元人民币）。

台积电高层看淡摩尔定律终结，强调技术进步为王道

近日消息，台积电工艺技术高管张晓强博士在最近的访谈中表达了他对摩尔定律现状的见解，称其关注点不在于摩尔定律是否延续有效，而聚焦于技术本身的持续演进与创新突破。

摩尔定律曾指出，半导体市场经济仅取决于晶体管密度，而与功耗无关。然而，随着应用的发展，芯片制造商开始关注性能、功耗和面积（PPA）的提升，以保持持续进步。

台积电的优势在于每年都能推出新的工艺技术，并为客户提供所需的 PPA 改进。苹果作为台积电最重要的客户，其处理器的发展历程正是台积电工艺技术进步的缩影。

不过，台积电的能力远不止于此。AMD 的 Instinct MI300X 和 MI300A 处理器充分利用了台积电的 2.5D 和 3D 封装技术，是其技术实力的最佳例证。

张晓强认为，业界对摩尔定律的定义过于狭隘，仅限于二维扩展。而实际上，半导体行业一直在寻找不同的方法，将更多的功能和能力集成到更小的封装中，同时提升性能和能效。因此，从这个角度来看，摩尔定律，或者说技术进步，将继续下去。

当被问及台积电在渐进式工艺节点改进方面取得的成功时，张晓强强调，其工艺节点的进步远非微小，从 5 纳米级工艺节点过渡到 3 纳米级工艺节点，每代 PPA 改进超过 30%。台积电继续在主要节点之间进行较小但持续的增强，使客户能够从每一代新技术中获益。

台积电A14P制程蓄势待发：2028年预计引入High NA EUV光刻革新

近日消息，台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成最新的High NA EUV光刻技术，这一革新之举预示着半导体制造领域将迎来又一重要里程碑。

台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。

台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027 年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。

而在 A14 改进版 A14P 中，台积电有望正式启用 High NA EUV 光刻技术，该节点在时间上大致落在 2028 年。

台积电将在 2030 年后进入 A10 等更先进世代，届时会全面导入 High NA EUV 技术，进一步改进制程技术的成本与效能。

报道还提到，台积电已完成量产用 ASML High NA EUV 光刻机的首阶段采购。

而在研发用机台方面，ASML 此前已经披露，将在 2024 年内交付台积电的首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（当前约 27.62 亿元人民币）。

台积电的先进代工竞争对手中，英特尔明确将在 Intel A14 节点使用 High NA 光刻；三星电子虽早已向 ASML 下单 High NA EUV 光刻机但未明确何时启用；Rapidus 的 High NA 节点至少也要等到 2nm 后。